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| 规格书 |
 ECH8672 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.5A |
| 供应商设备封装 | 8-ECH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 320pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 3.5 A |
| RDS（ON） | 85 mOhms |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 封装/外壳 | ECH-8 |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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